技術(shù)編號：6875699
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種非揮發(fā)性內(nèi)存(Non-Volatile Memory)組件的結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種防止天線效應(yīng)的氮化硅只讀存儲器(Silicon Nitride Read Only Memory，NROM)組件的結(jié)構(gòu)。典型的閃存是以摻雜的多晶硅制作浮置柵極(Floating Gate)與控制柵極(Control Gate)。當(dāng)內(nèi)存進行編程(Program)時，適當(dāng)?shù)木幊屉妷悍謩e加到源極區(qū)、漏極區(qū)與控制柵極上，電子將由源極區(qū)經(jīng)由信道(Channel)流向...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。