技術(shù)編號：6875599
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化物類半導(dǎo)體元件，尤其涉及一種具備在氮化物類半導(dǎo)體層上形成的歐姆電極的氮化物類半導(dǎo)體元件。背景技術(shù) 以前，已知有具備在氮化物類半導(dǎo)體層上形成的歐姆電極的氮化物類半導(dǎo)體元件(例如參照特開平9-69623號公報(bào))。在上述專利文獻(xiàn)1中，公開了如下技術(shù)，即在n型的氮化物類半導(dǎo)體層上形成歐姆電極之后，通過在約500℃～約700℃下進(jìn)行退火，使歐姆電極與氮化物類半導(dǎo)體層良好地歐姆接觸。另外，以前，已知有具備以與InGaN層和AlGaN層等氮化物類半導(dǎo)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。