技術(shù)編號：6874178
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請是于1995年10月20日提交、申請?zhí)枮?3106049.8發(fā)明名稱為“半導體器件及其制造方法”的分案申請。本發(fā)明涉及結(jié)晶半導體，更具體地說是涉及以薄膜硅半導體和使用該種硅半導體制造的半導體器件。本發(fā)明還涉及制造它們的方法。用作薄膜器件的薄膜晶體管大致劃分為兩類平面型和臺階型。正如公知的那樣，臺階TFT具有如圖5(A)-5(E)和6(A)-6(C)的形狀。這種無沿(edgeless)型TFT具有和柵電極的形狀相同的島形的有源層。結(jié)果，不存在任何超越柵...
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