技術(shù)編號(hào)：6874013
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，該薄膜晶體管的一個(gè)特點(diǎn)是柵電極的制造方法。更具體而言，本發(fā)明涉及諸如ID芯片、RFID、CPU(中央處理單元)、液晶顯示裝置以及有機(jī)EL顯示裝置的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù) 近年來，已經(jīng)積極研發(fā)了諸如ID芯片、RFID、CPU、液晶顯示裝置以及有機(jī)EL顯示裝置的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的高度集成和高速操作，需要在制造工藝中微型化半導(dǎo)體裝置。作為制造這種半導(dǎo)體裝置的方法，可以給出通過刻蝕微型化柵電極的方法、或通過陽極氧化方法...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。