技術(shù)編號：6874001
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 圖11是顯示日本公開專利出版物No.H01-246873中描述的半導(dǎo)體器件構(gòu)造的剖面圖。這種半導(dǎo)體器件具有在第一電導(dǎo)率型(N-型)半導(dǎo)體區(qū)域31上形成肖特基二極管的肖特基電極32，以及由肖特基二極管周圍的第二電導(dǎo)率型(P-型)雜質(zhì)組成的保護(hù)環(huán)33。其中的半導(dǎo)體器件還含有以與保護(hù)環(huán)接觸方式提供的摻雜半導(dǎo)體層34，并且所述的摻雜半導(dǎo)體層34是以與肖特基勢壘二極管的肖特基電極32接觸的方式形成的，以排除置于它們之間的任何側(cè)壁。據(jù)說這使得可以...
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