技術(shù)編號(hào):6873016
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具備非易失性存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體器件的制造方法。 背景技術(shù) 圖15中,典型地表示現(xiàn)有非易失性存儲(chǔ)單元的溝道寬度方向(和溝道電流流動(dòng)方向垂直的方向)的剖面構(gòu)造(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。在圖15上,81表示硅襯底,82表示元件隔離絕緣膜,83表示隧道絕緣膜,84表示浮柵電極,85表示電極間絕緣膜,86表示控制柵電極。除與元件隔離絕緣膜82的邊界附近以外,隧道絕緣膜83有大體平坦的表面,而且有大體均勻的厚度。即,隧道絕緣膜83除與元件隔離絕緣膜82的邊...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。