技術(shù)編號(hào)：6872083
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體地，涉及制造具有用于增加溝道長(zhǎng)度的凹陷結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 具有平面結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)晶體管不能滿足近來(lái)DRAM器件的集成度進(jìn)展的技術(shù)需要，例如，這些傳統(tǒng)晶體管不能滿足其中集成該晶體管的器件的所需閾值目標(biāo)。DRAM器件的提高的集成度要求減小最小特征尺寸，為了減小最小特征尺寸在襯底中摻雜密度增加，其不可避免地增加了電場(chǎng)以及晶體管中的結(jié)泄漏(junction leakage)。因此，近來(lái)出現(xiàn)一種稱為“凹陷柵極結(jié)構(gòu)(...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。