技術(shù)編號：6871962
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于新結(jié)構(gòu)的光伏電池。為了減少太陽光在硅表面的反射，通常使用了光學(xué)減反射層(F)。它們是折射率在2.0～2.2之間的一氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)等絕緣薄膜。由附圖說明圖1可以看出柵狀前電極留出大量表面，以接受入射光。而光生電流則依靠光生載流子在太陽電池表層(D)的橫向運(yùn)動，被柵狀前電極收集而形成。對n-p型晶體硅太陽能電池而言，光生載流子之所以能作較長距離的橫向運(yùn)動，是因為它們在n-Si表層有較長的擴(kuò)散長度。當(dāng)然，也要求表層有足夠的厚度，以盡...
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