技術(shù)編號(hào)：6871272
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種在襯底上制備光敏電阻、封裝和焊接多芯片。背景技術(shù) 采用有機(jī)金屬汽相外延(MOCVD)方法等技術(shù)制造的高亮度發(fā)光二極管芯片技術(shù)基本成熟，但是，制造大功率發(fā)光二極管芯片及器件技術(shù)還不夠成熟。利用多個(gè)高亮度發(fā)光二極管芯片制造成一個(gè)大功率器件具有比較好的優(yōu)點(diǎn)。目前，大功率制造技術(shù)的主要缺點(diǎn)是(1)單芯片大功率發(fā)光二極管成本和售價(jià)都比較高；(2)多芯片大功率發(fā)光二極管器件技術(shù)不夠完善；(3)沒有制造多芯片器件的電壓和電流補(bǔ)償技術(shù)；(4)沒有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。