技術(shù)編號：6870809
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種利用等離子體工藝中的等離子體加熱這一特性進(jìn)行材料熱處理的方法，具體而言，涉及利用等離子體沉積過程中的等離子體加熱尤其是離子轟擊加熱進(jìn)行退火處理形成硅化鎳的方法，更具體而言，涉及一種在暴露的硅表面上形成低電阻硅化鎳的方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體器件集成度的持續(xù)增加以及與這些器件相關(guān)的臨界尺寸的持續(xù)減小，人們的興趣越來越集中于以低電阻材料制造半導(dǎo)體器件從而保持或降低信號延遲。硅化物和自對準(zhǔn)硅化物材料及工藝已被廣泛用于降低CMOS器件的柵極導(dǎo)體和源極...
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