技術(shù)編號：6870258
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲器件，更具體而言，涉及一種具有電阻節(jié)點(diǎn)的非易失性存儲器件(NVM)，其中電阻存儲器件連接到該電阻存儲器件之外的存儲器件。背景技術(shù) 非易失性存儲器件(NVM)分為閾值電壓轉(zhuǎn)變器件、電荷位移器件以及電阻變化器件。依據(jù)存儲節(jié)點(diǎn)的類型，閾值電壓轉(zhuǎn)變器件分為具有浮置柵極的閃速存儲器件和具有電荷俘獲層的SONOS器件。電荷位移器件分為納米晶體鐵電RAM(FRAM)器件和聚合物器件。電阻變化器件分為磁性RAM(MRAM)器件、相變RAM(PRAM...
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