技術(shù)編號(hào)：6870133
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片洗滌方法及由該方法得到的晶片。背景技術(shù) 化合物半導(dǎo)體被用于制作金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等各種受/發(fā)光元件。這些元件的活性層通過分子束外延(MBE)法、有機(jī)金屬氣相成長(zhǎng)(MOVPE)法及離子注入法等形成在鏡面晶片表面。該鏡面晶片按照下述的步驟制作。切割晶錠，切出晶片。隨后，用#800～#3000的氧化鋁磨粒研磨該切割晶片而除去鋸痕，提高平坦性后，使用次氯酸系水溶液或...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。