技術(shù)編號(hào)：6870008
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路及其制造方法，特別是涉及一種可編程備用記憶體的熔絲結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù) 激光可編程記憶體備用結(jié)構(gòu)已經(jīng)廣泛應(yīng)用在大型記憶體元件之中，使用備用的存儲(chǔ)空間來(lái)取代損壞元件，從而增加產(chǎn)率。然而，目前的結(jié)構(gòu)之中，激光修復(fù)率還比較低，部分原因是因?yàn)橛脕?lái)控制激光修復(fù)率的制程太過(guò)復(fù)雜。以及隨著半導(dǎo)體技術(shù)的尺寸縮小到深次微米，銅鑲嵌制程已經(jīng)可以達(dá)到多層內(nèi)連線的制程水準(zhǔn)。而銅具有相對(duì)較高的電流密度耐受性，較難用激光使其加以揮發(fā)。再加上，將低介電材質(zhì)的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。