技術編號：6869935
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具備由銅等構成的金屬布線和低介電常數的層間絕緣膜的。背景技術 近年來，布線圖案隨著半導體集成電路的高集成化而高密度化，在布線之間產生的寄生電容越來越大。由于布線之間的寄生電容一增大就產生信號的延遲，因此在需要進行高速動作的半導體集成電路中布線之間的寄生電容的低減正成為重要的課題。現(xiàn)在，采取降低布線之間及層間的絕緣膜的相對介電常數的方法，以降低布線之間的寄生電容。以往，對布線之間的絕緣膜大多使用了氧化硅(SiO2)膜(相對介電常數為3.9～4....
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