技術(shù)編號：6869717
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示一種。背景技術(shù) 閃存存儲器件包括單元區(qū)域，該單元區(qū)域具有用于通過隧穿方式儲存及擦除數(shù)據(jù)的單元晶體管、及用于驅(qū)動該單元晶體管的周邊電路單元。該周邊電路單元分成具有用于施加低電壓的低電壓晶體管的低電壓區(qū)域、具有對于約20V的高電壓具有抵抗性(其為隧穿所需的)的高電壓晶體管的高電壓區(qū)域等。具有預(yù)定厚度的高電壓柵極氧化膜及低電壓柵極氧化膜形成于每個區(qū)域中。當(dāng)形成了比低電壓柵極氧化膜更厚的高電壓柵極氧化膜時，存在易于產(chǎn)生“鳥嘴形現(xiàn)象(bird′s beak...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。