技術編號：6869634
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明有關于半導體元件，特別有關于一種使用抗水氣氧化物覆蓋于介電層上的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，以及其制造方法。背景技術 在半導體集成電路中常包括數(shù)層金屬，提供集成電路中各元件間的接觸以及集成電路與外部電路的接觸。金屬間介電層在金屬層間使得金屬層相互隔離，當金屬接點埋置于金屬間介電層中并且研磨成一平面結(jié)構(gòu)，該平面結(jié)構(gòu)稱為鑲嵌結(jié)構(gòu)。當金屬間介電層中有金屬接點和金屬層間內(nèi)連線(或?qū)Э?形成，此結(jié)構(gòu)稱為雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。具有低介電常數(shù)或超低介電常數(shù)(ELK)的材料作為金屬間介電層時...
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