技術編號：6869044
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及貼合晶圓的制造方法及貼合晶圓，特別涉及一種對形成于貼合晶圓的平臺部(terrace)的氧化膜進行蝕刻的方法。技術背景高性能元件用的晶圓，是將半導體晶圓與其他晶圓等接合后，對制造元 件側的晶圓進行薄膜化而形成的貼合晶圓。具體地說，例如準備兩片經過鏡面研磨的硅晶圓，在晶圓的至少一面上 形成氧化膜。接著，將這些晶圓結合后，以200 120(TC的溫度進行熱處理來 提高結合強度。其后，借助對制造元件側的晶圓(結合晶圓)進行磨削及研 磨等，使得結合晶圓達到...
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