技術(shù)編號：6868991
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲器，更具體地涉及其中通過加熱和制冷其中的相變單元(phase change cell)來記錄或擦除數(shù)據(jù)的非易失性存儲 器。背景技術(shù)已經(jīng)公知為非易失性存儲器的是閃速存儲器、FeRAM、 MRAM和相變 存儲器。例如，美國專利No. 6,172,902，公開了組合在薄膜中的MRAM， 而美國專利No. 5， 166， 758公開了相變存儲器的結(jié)構(gòu)。由于在便攜式信息終端等中的使用要求存儲器有較高密度，因此關(guān) 注相變非易失性存儲器，并且已經(jīng)在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。