技術(shù)編號：6868985
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理，更具體而言涉及用于等離子體處理柵疊層以 調(diào)節(jié)柵疊層的功函數(shù)的方法。柵疊層包含形成在襯底上的介電層和形成在 介電層上的含金屬柵電極層。背景技術(shù)在半導(dǎo)體工業(yè)中，微電子器件的最小特征尺寸正逼近深亞微米體系以 滿足更快的、更低功率的微處理器和數(shù)字電路的需求。為實(shí)現(xiàn)集成電路器件的進(jìn)一步微型化，基于Si的微電子技術(shù)當(dāng)前面臨嚴(yán)重的材料挑戰(zhàn)。包含 Si02柵極電介質(zhì)和退化摻雜多晶Si柵電極的柵疊層(這種結(jié)構(gòu)好幾十年來都用于半導(dǎo)體工業(yè))將被具有更高電容...
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