技術(shù)編號(hào)：6868970
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及襯底支撐件。更具體地說，本發(fā)明涉及一種在等離子處理過程中在襯底 內(nèi)部達(dá)成均一溫度分布的方法和裝置。背景技術(shù)典型等離子蝕刻裝置包含反應(yīng)器，其中具有腔室，且一或多種反應(yīng)氣體流過所述腔 室。在所述腔室內(nèi)部，通常通過射頻能量將氣體離子化為等離子。等離子氣體的高度反 應(yīng)離子能夠與材料(例如，在處理為集成電路(IC)的半導(dǎo)體晶圓的表面上的聚合物遮 罩)發(fā)生反應(yīng)。在蝕刻之前，將晶圓置于腔室中并通過夾盤或固持器固持于適當(dāng)位置， 進(jìn)而將晶圓的上表面曝露于等離子。此...
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