技術(shù)編號：6867934
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及使用等離子體濺射向在半導(dǎo)體晶片等被處理體的表面開口的凹部填充金屬的技術(shù)改良。 背景技術(shù) 在半導(dǎo)體器件的制造過程中，通常在半導(dǎo)體晶片上反復(fù)進行成膜處理和圖形刻蝕處理等各種處理，由此制造所期望的器件。由于對半導(dǎo)體器件的集成化及小型化有著更高的要求，線寬和孔徑被做得越來越小。各種尺寸一旦變小，就有必要降低配線材料及填充材料的電阻，所以傾向于用電阻很小且廉價的Cu作為配線材料和填充材料(參照日本特開2000-77365號公報)。在用Cu作為配線材...
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