技術編號：6867929
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術區(qū)域本發(fā)明涉及通過對半導體晶片等被處理體的上面和在該上面開口的凹部的表面進行等離子體濺射而形成金屬薄膜用的改良的成膜方法及成膜裝置。 背景技術 一般在半導體器件的制造過程中，反復在半導體晶片上進行成膜處理、圖形蝕刻處理等各種處理，以制造所希望的半導體器件。從進一步要求半導體器件的高集成化及高細微化出發(fā)，使線寬和孔徑越來越細微化。所以，由于各種尺寸的細微化，傾向于使用電阻更小且廉價的Cu作為配線材料和填充材料(日本特開2000-77365號公報)。當使用...
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