技術(shù)編號：6867898
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，更具體涉及用于半導(dǎo)體器件包括CMOS圖像傳感器的光電二極管晶體管隔離技術(shù)。 背景技術(shù) CMOS圖像傳感器正被越來越多地用作低成本成像器件。CMOS圖像傳感器電路包括像素單元的焦平面陣列，每一個所述單元都包括在襯底內(nèi)具有相關(guān)電荷累積區(qū)用于積累光生成的電荷的光柵(photogate)、光電導(dǎo)體、或者光電二極管。每個像素單元都可以包括用于將電荷從電荷累積區(qū)轉(zhuǎn)移到傳感節(jié)點的晶體管，和用于在電荷轉(zhuǎn)移之前將所述傳感節(jié)點重新設(shè)置為預(yù)定電荷水平的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。