技術(shù)編號(hào):6867825
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于一種在低溫下形成具有低機(jī)械應(yīng)力的低K值介電膜的方法。背景技術(shù) 在制造高階半導(dǎo)體裝置時(shí)其主要步驟之一是以氣體化學(xué)反應(yīng)在襯底上形成金屬和介電膜。該沉積工藝稱(chēng)為化學(xué)氣相沉積技術(shù)或CVD。通常的熱CVD方法是將反應(yīng)性氣體引至襯底表面,進(jìn)行熱誘發(fā)的化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生所要求的薄膜。某些熱CVD方法因其操作溫度過(guò)高而損及到已于先前在裝置結(jié)構(gòu)的襯底上形成的薄層。一種在較低溫下沉積金屬和介電膜的較佳方法是等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)技術(shù),例如美國(guó)專(zhuān)利號(hào)5,362,...
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