技術(shù)編號：6867775
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及通過經(jīng)由絕緣膜進(jìn)行電荷交接而動作的半導(dǎo)體存儲元件(閃存器(flash memory)、EEPROM等)，特別涉及配置在半導(dǎo)體基板與柵電極之間的柵絕緣膜的形成方法的改良。背景技術(shù) 關(guān)于半導(dǎo)體存儲裝置的電器特性(寫入、消去特性)，柵絕緣膜的氮濃度分布圖(profile)具有重要的意義。在現(xiàn)有技術(shù)中，對氧化膜進(jìn)行熱氧氮化處理。但是，會發(fā)生晶體管特性惡化，僅在氧化膜與基板界面上形成氮的峰值(peak)，難以形成適當(dāng)?shù)牡獫舛确植?。就是說，在熱氧氮化處理的情...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。