技術(shù)編號(hào)：6867651
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造增強(qiáng)-耗盡類型的晶體管結(jié)構(gòu)的方法、這樣制成的晶體管結(jié)構(gòu)且特別地涉及高電子遷移率(HEMT)結(jié)構(gòu)。增強(qiáng)-耗盡技術(shù)將增強(qiáng)型異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(H-FET)與耗盡型異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵H-FET組合在同一基片上。該技術(shù)特別地應(yīng)用于高電子遷移率(HEMT)FET，包括變形HEMT(MHEMT)或假晶HEMT(PHEMT)。在HEMT中，電荷從電荷施主層傳遞到未摻雜溝道層。在PHEMT中，一個(gè)或多個(gè)層具有不同于其他層的晶格常數(shù)，導(dǎo)致應(yīng)變，這改進(jìn)了一些器件特...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。