技術(shù)編號：6867548
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于制造電子元件的半導(dǎo)體(Semiconducting)襯底的制備。本發(fā)明的一般限定為基于載體上的氮化物的半導(dǎo)體材料層的制備。現(xiàn)有技術(shù)概述基于周期表中的III族元素氮化物的半導(dǎo)體材料在電子和光電領(lǐng)域中占有越來越重要的地位。這些意圖用于制造HEMT(高電子遷移率晶體管)的材料被用于制造適于高頻和高功率應(yīng)用的電子電路。這些基于III族元素氮化物的材料表現(xiàn)出許多優(yōu)點--例如，它們不需要對材料摻雜，與材料(諸如基于砷化物的材料)中所熟知的相反。圖1中示出...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。