技術(shù)編號(hào)：6867161
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及一種半導(dǎo)體器件以及其制造方法，且更具體地涉及到使用與高k介電材料和硅襯底一起使用的界面鍺層。背景技術(shù) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)已經(jīng)在電子工業(yè)中發(fā)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。一些具體處理應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)、放大、濾波和其它任務(wù)。金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是現(xiàn)在使用的較通用的FET器件類(lèi)型中的一種。其已經(jīng)發(fā)現(xiàn)例如在數(shù)字處理應(yīng)用中的重要應(yīng)用。MOSFET結(jié)構(gòu)典型地包括金屬或者多晶硅柵極觸點(diǎn)，對(duì)柵極觸點(diǎn)加電以在半導(dǎo)體溝道中產(chǎn)生電場(chǎng)，其允許電流在源和漏極區(qū)之間傳導(dǎo)...
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