技術(shù)編號(hào)：6866861
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景集成電路可通過形成一系列的圖案化層來制造?？捎糜诩呻娐返闹圃斓囊环N工藝是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝?；瘜W(xué)機(jī)械拋光工藝?yán)脪伖庀到y(tǒng)和襯底(例如，晶片)表面之間的化學(xué)和物理相互作用來改進(jìn)表面的平面度。CMP工藝中的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)是將晶片在其整個(gè)表面上均勻地拋光，以獲得期望的平面度。然而，具有較多特征部的襯底的區(qū)域一般以不同于具有較少特征部的區(qū)域的速率拋光。為了降低拋光不均勻性，可增加稱為“實(shí)體模型化(dummification)”特征部的特定特征部。圖1示出...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。