技術編號：6866844
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于發(fā)光器件的反射性正電極，更具體地，涉及具有優(yōu)良特性和穩(wěn)定性的反射性正電極，并涉及使用其的倒裝芯片型氮化鎵基化合物半導體。背景技術 近年來，由化學式AlxInyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，x+y＜1)表示的氮化鎵基化合物半導體作為用于發(fā)射紫外到藍光或綠光的發(fā)光二極管(LED)的材料吸引了極大的關注。通過使用由這些材料制造的半導體可實現(xiàn)迄今很困難的，在紫外、藍和綠色區(qū)域中的高強度光發(fā)射。通常在藍寶石襯底上生長氮化鎵基化合物半導體。由...
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