技術(shù)編號(hào)：6865742
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制作在電子器件(如功率電子器件)中使用的半導(dǎo)體材料的方法。尤其是，本發(fā)明的某些實(shí)施例涉及可減少碳化硅中晶體缺陷的過程以及由此生成的結(jié)構(gòu)和器件。本發(fā)明與在2001年10月26日提出的、現(xiàn)在以號(hào)碼2003-0080842A1公布的、序號(hào)為10/046,346的同時(shí)待審和一般轉(zhuǎn)讓的申請(qǐng)，以及在2003年9月22日提出的、序號(hào)為10/605,312的同時(shí)待審和一般轉(zhuǎn)讓的申請(qǐng)中公開并要求權(quán)利的主題有關(guān)；這些申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用將全部結(jié)合在此，就好像是完全...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。