技術(shù)編號：6865537
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種口袋型摻雜區(qū)(pocket doping region)的形成方法，且特別是有關(guān)于一種利用熱擴散法形成口袋型摻雜區(qū)的。公知的浮置柵大多由多晶硅所構(gòu)成，在半導(dǎo)體元件集成度提高的同時，會伴隨著發(fā)生漏電的問題，因此，公知的解決方法是利用氧化硅-氮化硅-氧化硅所形成的捕捉層(Trapping Layer)結(jié)構(gòu)取代浮置柵，以利用熱載體注入的方式，使載體儲存在絕緣的氮化硅中，達到資料儲存的目的。以氧化硅-氮化硅-氧化硅作為捕捉層的存儲元件，依照其操作...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。