技術(shù)編號(hào)：6865479
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式主要涉及半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，更具體地，涉及在形成諸如柵極的半導(dǎo)體器件的含硅薄膜中摻雜物激活的方法?，F(xiàn)有技術(shù)描述隨著晶體管制造尺寸越來越小，需要用更薄的柵介電材料改善器件的性能。然而，載流子的耗盡將產(chǎn)生反轉(zhuǎn)氧化物厚度為4的柵極材料，該材料諸如摻雜硼的p型多晶硅或摻雜砷和/或磷的n型多晶硅。降低多晶耗盡為維持器件性能的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的工藝包括快速退火工藝，該快速退火工藝具有有限的熱預(yù)算。例如，溫度不能高于1050℃，因?yàn)榕饘⒋┩笘沤殡姴牧隙档推?..
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。