技術編號：6865447
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件制造，更特別地，涉及構造垂直碳納米管場效應晶體管及其陣列的方法、以及通過這樣的方法形成的器件結構和器件結構的陣列。背景技術 傳統(tǒng)場效應晶體管(FET)是一般作為基本構件塊包括在集成電路(IC)芯片的復雜電路中的常見常規(guī)元件。FET尺寸的等比例縮小改善了電路性能且提高了設置在IC芯片上的FET的功能性能力。然而，持續(xù)的尺寸減小會受到與傳統(tǒng)材料相關的尺寸限制以及與光刻構圖相關的成本的妨礙。碳納米管是碳原子的六角環(huán)構成的納米級大高寬比(hig...
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