技術(shù)編號：6862524
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備鐵磁性半導(dǎo)體薄膜材料的方法，特別是指一種。迄今為止，已有大量的磁體/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及磁體/半導(dǎo)體/磁體三層結(jié)構(gòu)制備成功，磁體/半導(dǎo)體超晶格的研制也取得了進(jìn)展。但由于磁體/半導(dǎo)體間晶格失配的影響，異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)變較大、穩(wěn)定性不好。組份漸變鐵磁性半導(dǎo)體材料很好地解決了晶格失配的問題，在分立器件和集成電路中必將得到廣泛應(yīng)用，因此對其制備和研究具有重要意義。離子束外延技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是利用其磁分析器的離子提純分析功能，在超高真空條件下可制備其它工藝不易...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。