技術(shù)編號(hào)：6862375
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?6112884.4，申請(qǐng)日為1996年9月26日，發(fā)明名稱為“”申請(qǐng)案的分案申請(qǐng)。本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一存儲(chǔ)單元(Memory Cell)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該存儲(chǔ)單元包含一轉(zhuǎn)移晶體管(Transfer Transistor)和一樹型(tree-type)存儲(chǔ)電容器。附圖說明圖1是一DRAM的一存儲(chǔ)單元的電路示意圖。如圖所示，一個(gè)存儲(chǔ)單元是由一轉(zhuǎn)移晶體管T和一存儲(chǔ)電容器C組成。轉(zhuǎn)移晶體管T的源極連接到一對(duì)應(yīng)的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。