技術(shù)編號：6861428
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及磁存儲器件，器件中至少有一個導(dǎo)體包括不對稱覆層。更具體地說，本發(fā)明涉及一種磁存儲器件，其中至少有一個導(dǎo)體包括凹進的不對稱覆層，在提供反轉(zhuǎn)磁場增強的同時，將對磁存儲單元的數(shù)據(jù)層的反轉(zhuǎn)特性的不良影響降到最低。背景技術(shù) 磁隨機存取存儲器(MRAM)是一項新興的技術(shù)，可以為傳統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲或存儲器技術(shù)提供替代方案。MRAM具有所需的屬性，比如象DRAM那樣的快速存取時間和象硬盤驅(qū)動器那樣的非易失性數(shù)據(jù)保持。MRAM將一位數(shù)據(jù)(即信息)以可變磁化取向的形式...
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