技術(shù)編號：6859080
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半導(dǎo)體材料，特別是一種用于氮化物半導(dǎo)體材料退火的新型加熱襯托。背景技術(shù)GaN基氮化物半導(dǎo)體材料作為優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料在制作光電子器件和微電子器件方面具有巨大的潛力，獲得性能良好的p型GaN基材料是實現(xiàn)這些器件的關(guān)鍵技術(shù)之一。但是目前p型氮化物發(fā)展不成熟，MOCVD工藝生長Mg摻雜氮化物外延層時，作為載流氣體的H2以及反應(yīng)物NH3和有機源分解出的H與Mg結(jié)合成Mg-H復(fù)合體而鈍化了氮化物外延層中的Mg受主，并且Mg形成的受主能級較深，這些影...
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