技術(shù)編號：6859075
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。量子點(diǎn)增強(qiáng)F-N隧穿非揮發(fā)存儲器，屬于存儲器設(shè)計(jì)。背景技術(shù)在全球Flash Memory的市場中，NAND結(jié)構(gòu)的Flash Memory占有60％的份額。在FlashMemory的各項(xiàng)性能中，電子注入效率和電壓(功耗)是十分重要的指標(biāo)。NAND結(jié)構(gòu)的存儲器單元的編程和擦除都是采用F-N隧穿的方式，結(jié)構(gòu)為浮柵薄氧化層(FLOTOX)結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)中，電子向浮柵的注入效率遠(yuǎn)高于NOR結(jié)構(gòu)的CHE注入方式，但是由于F-N隧穿需要相對較高的電場，因此編程和擦除電壓...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。