技術(shù)編號：6858517
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種磁體陣列，其適用于采用具有多膜層疊固定層的磁阻元件(magnetoresistance element)(所謂的合成自旋閥膜(synthetic spin valvefilm))制造磁傳感器的方法。背景技術(shù)已知的傳統(tǒng)巨磁阻元件(以下以“GMR元件”提及)包括固定層，其包括被釘扎層、以及用于將被釘扎層的磁化釘扎在一固定方向上的釘扎層；自由層，其磁化方向根據(jù)外部磁場變化；以及位于被釘扎層和自由層之間的、由非磁性的電導(dǎo)體制成的隔離層。GMR元件...
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