技術編號：6858068
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及制造集成電路(IC)的方法，確切地說是利用場效應晶體管(FET)柵層和雙極SiGe非本征基極多晶硅層來形成電容器的基底平板，從而制造BiCMOS器件上的多晶硅-多晶硅，亦即多晶-多晶電容器的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及利用制作金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的柵和BiCMOS(亦即雙極器件和互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件)中的雙極晶體管的基極結(jié)構的工藝步驟和結(jié)構，來制造多晶-多晶電容器的方法。在半導體器件制造領域中，CMOS(互補金屬氧化物...
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