技術(shù)編號：6857703
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及CMOS圖像傳感器，且更具體地，涉及制造CMOS圖像傳感器中隔離層的方法。所述方法可將氧和P-型離子注入到裝置隔離區(qū)中而不承受蝕刻損壞并執(zhí)行加熱工藝以在半導體基片中形成裝置隔離層。背景技術(shù) 圖像傳感器是用于將光學圖像轉(zhuǎn)換為電信號的半導體裝置。典型的互補金屬-氧化物-硅(CMOS)圖像傳感器包括電荷耦合裝置，其中電荷載流子存儲在彼此非常靠近的金屬-氧化物-硅電容中；以及對應(yīng)于像素數(shù)目的MOS晶體管，其使用CMOS技術(shù)來制造。使用MOS晶體管，輸出信...
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