技術(shù)編號(hào)：6857689
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及補(bǔ)償型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器及其制造方法，尤其涉及CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中防止發(fā)生微透鏡的提升(lifting)和漫反射。背景技術(shù) 通常，圖像傳感器是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換到電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器被分類為電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器。CCD在MOS電容器中存儲(chǔ)電荷載流子，以及將電荷載流子傳送到MOS電容器。MOS電容器相互接近。CMOS圖像傳感器運(yùn)用切換模式，其通過(guò)利用將控制電路和信號(hào)處理電路用作為外圍電路...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。