技術(shù)編號(hào)：6857623
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的電容器的方法和半導(dǎo)體器件的電容器，更具體而言，涉及一種形成具有介電阻擋層(dielectric barrier layer)的半導(dǎo)體器件的電容器的方法和具有該介電阻擋層的半導(dǎo)體器件的電容器。背景技術(shù) 隨著存儲(chǔ)器件和/或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)-邏輯器件合并(merged dynamic random access memory with logic device，MDL)半導(dǎo)體器件的集成密度的增加，存儲(chǔ)在這些器件的電容器...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。