技術編號：6857553
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種包括多個縱向型功率MISFET的。背景技術 在功率MOSFET中，正在積極研發(fā)能夠同時實現(xiàn)高耐壓化和低導通電阻化這兩方面的半導體器件。例如，在Deboy，G.等人撰寫的“A New Generation of HighVoltage MOSFETs Breaks the Limit of Silicon(新一代高壓MOSFET擊穿有限的硅)”，IEDM Tech.Dig.(1998)，P683-686等中，已提出了稱為超級結(super ju...
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