技術(shù)編號：6857501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種環(huán)狀磁性多層膜，及其制備方法，和其在器件中的應(yīng)用。背景技術(shù) 自20世紀(jì)80年代末期Baibich等人在磁性多層膜系統(tǒng)中首次觀察到巨磁電阻效應(yīng)(Giant Magneto Resistance，GMR)以來，磁性多層膜體系的研究一直是科研人員普遍關(guān)注的一個課題。由于GMR效應(yīng)具有很高的磁電阻比值，因此可以廣泛應(yīng)用到磁電阻型傳感器、磁記錄讀出磁頭等領(lǐng)域。用GMR制成的器件不僅具有靈敏度高、體積小、功耗低等優(yōu)良特點，還可以帶來抗輻射、非易失性信息存...
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