技術(shù)編號：6857497
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種形成低溫多晶硅薄膜的方法，特別是涉及一種使用兩次激光照射的連續(xù)側(cè)向固化的形成低溫多晶硅薄膜的方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體制造中，由于非晶硅(amorphous silicon)薄膜可以在低溫的環(huán)境下形成于玻璃基板上，因此非晶硅薄膜晶體管(thin-film transistor，TFT)目前大量地被使用于在液晶顯示器領(lǐng)域中。然而，非晶硅薄膜的電子移動率比多晶硅薄膜慢，使得非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的反應(yīng)時間較慢，也限制了其在大尺寸面板上的應(yīng)用。因...
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