技術(shù)編號(hào)：6857176
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子，特別是一種通過控制靜電卡盤對晶片邊緣區(qū)域溫度和改善晶片邊緣處的射頻RF的促進(jìn)晶片刻蝕均勻的靜電卡盤。背景技術(shù) 晶片在刻蝕的整個(gè)過程中是被下電極系統(tǒng)中的靜電卡盤(ESC)吸附固定住的，并且向靜電卡盤通入射頻RF，這樣射頻RF會(huì)在晶片上形成DC bias(直流偏壓)。這樣促成等離子體對晶片的刻蝕反應(yīng)。同時(shí)，靜電卡盤會(huì)對晶片實(shí)現(xiàn)溫度控制，以促進(jìn)晶片刻蝕的均勻性。靜電卡盤的上、下均為絕緣層，中部設(shè)有電極層。當(dāng)對電極層施加直流電壓時(shí)，就會(huì)在電極層和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。