技術(shù)編號：6856965
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種。背景技術(shù) 隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，為了能夠在一塊芯片上制作更多的元件，亦即提高元件的集成度，元件的線寬也必須愈益縮減。如此一來，會(huì)使得半導(dǎo)體后段工藝的金屬內(nèi)連線的工藝裕度(Process Window)大幅縮減。尤其是在形成接觸窗/介層窗開口的時(shí)候，由于開口的深寬比(Aspect Ratio)相當(dāng)高，往往會(huì)使得內(nèi)連線的工藝產(chǎn)生許多問題。請參考圖1的現(xiàn)有MOS晶體管接觸窗的剖面示意圖。此接觸窗150位...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。