技術(shù)編號：6856961
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總體涉及一種制造雙金屬鑲嵌互連結(jié)構(gòu)的方法，且具體而言涉及這樣一種雙金屬鑲嵌方法，其中使用包含生孔劑(porogen)(氣孔形成劑)的犧牲材料用于填充層間介電層中的通孔使得可以將犧牲材料轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫撞牧?，其可以容易地從通孔去除而不損傷或去除層間介電層。背景技術(shù) 由于允許集成電路根據(jù)更小設(shè)計規(guī)則(DR)來被設(shè)計的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中繼續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，所以半導(dǎo)體器件變得更加高度集成。通常，使用多層金屬互連結(jié)構(gòu)來設(shè)計高度集成的電路，在多層金屬互連結(jié)構(gòu)中由集成電路的不...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。